基本信息：

方丽针，女，汉族， 1994年5月生，河南郑州人

博士研究生，博士，讲师

专业领域：二维纳米材料的光电性质

研究方向：二维纳米材料的第一性原理计算、可控制备及其光电子器件应用研究

教育经历：（从本科开始写）

2013年-2017年 河南师范大学   物理学   学士；

2017年-2019年 河南师范大学   物理学   硕士；

2019年-2024年   湖南大学   材料科学与工程 博士。

主讲课程：

《半导体物理》、《半导体器件》

科研项目：

1. 国家自然科学基金，面上项目，52372146，双极性二维材料可控制备与可重构器 件应用研究, 2020-01-01 至 2023-12-31, 52万，参与；

2. 国家自然科学基金, 面上项目, 12074103, 二维铁磁半导体 MX₃范德华异质结的电子结构和输运性质调控，2017-01-01 至 2020-12-31, 60万元, 结题, 参与。

代表性学术论文、著作：

1. L.Z. Fang, et al. Controlled synthesis of ultrathin metallic MoO₂ nanosheets for van der Waals contact. Sci. China Mater., 2023, 66: 1504-1510.

2. L.Z. Fang, et al. Band structures and transport properties of broken-gap heterostructures: 2D C₃N/MX case. Carbon, 2023, 202: 119-127.

3. L.Z. Fang, et al., Electric field modulations of band alignments in type-II GeS/arsenene van der Waals heterostructures. J. Alloy. Compd., 2019, 793: 283-288.

4. C.X. Xia*, L.Z. Fang, et al., Electronic and rectification characteristics of C₃N nanoribbons-based Schottky junctions. Carbon, 2019,141,363-369.

5. C.X. Xia*, L.Z. Fang, et al., SnS nanoribbon/graphene mixed-dimensional heterostructures: group VII passivation and quantum size effects. J. Alloy. Compd., 2018, 766(25), 215-220.

6. H.W. Liu^§, L.Z. Fang^§, et al. Epitaxial van der Waals contacts for low schottky barrier MoS₂ field effect transistors. Nano Res., 2023, 16: 11832-11838.

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